MMBT3904LP-7, TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

MMBT3904LP-7, TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.27 ֏
от 500 шт.23 ֏
от 3000 шт.20 ֏
30 шт. на сумму 1 080 ֏
Номенклатурный номер: 8003468009
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.5 mm
Длина 1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 200 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMBT3904LP
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок X1-DFN1006-3
Ширина 0.6 mm
Base Product Number MMBT3904 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 300MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 3-UFDFN
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package 3-X1DFN1006
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 357 КБ
Datasheet
pdf, 374 КБ