FDMS86252, MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A
![FDMS86252, MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A](https://static.chipdip.ru/lib/572/DOC006572380.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 10 шт. —
1 680 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Pd - рассеивание мощности | 69 W |
Qg - заряд затвора | 6.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 51 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 6 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FDMS86252 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | Power-56-8 |
Ширина | 5 mm |
Техническая документация
Datasheet FDMS86252
pdf, 399 КБ