AP2302B, 20V 2.8A 55m ё@4.5V,2.8A 350mW 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
148000 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
22 ֏
от 3000 шт. —
19 ֏
от 6000 шт. —
17 ֏
50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003479576
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 2.8A 55mΩ@4.5V,2.8A 350mW 1.2V@50uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.8A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55mО© @ 2.8A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 50uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V, 3.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 311pF |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 88pF |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.1nC |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet AP2302B
pdf, 851 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг