DTC114YUAFRAT106, Package/EnclosureSOT-323 Power dissipation Pd200mW Transistor typeNPN Collector-emitter maximum voltage VCEO50V Collector
15000 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 54 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
1 NPN - Pre Biased 200mW 100mA 50V SOT-323 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Manufacturer | ROHM Semicon |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Package / Case | SOT-323 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1027 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг