FZT689BTA, TRANS NPN 20V 3A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
357 ֏
от 100 шт. —
269 ֏
от 500 шт. —
239 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 6 A, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT689 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum DC Current Gain | 500 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 678 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT689BTA
pdf, 257 КБ
Datasheet FZT689BTA
pdf, 633 КБ