MMSTA42-7-F, TRANS NPN 300V 0.2A SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
41 ֏
от 3000 шт. —
36 ֏
20 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 300V 200mW
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMSTA |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |