UM6K1NTN, 30V 100mA 8@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4680 шт., срок 8-10 недель
75 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
58 ֏
от 150 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
45 ֏
15 шт.
на сумму 1 125 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В 100 мА 150 мВт для поверхностного монтажа UMT6
Технические параметры
Base Product Number | *K1 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Power - Max | 150mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | UMT6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Type | 2 N-Channel |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 80 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | SOT-363-6 |
Part # Aliases: | UM6K1N |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signals |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
Rise Time: | 35 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel MOSFET |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Техническая документация
Datasheet UM6K1NTN
pdf, 2441 КБ
Datasheet UM6K1NTN
pdf, 334 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг