DMP2066LSN-7, MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
10 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
МОП-транзистор с каналом P, от 12 до 25 В, Diodes Inc.
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.9 ns |
Время спада | 23.4 ns |
Высота | 1.3 mm |
Длина | 3.1 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DMP2066 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 28 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.4 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Ширина | 1.7 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 3.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-346 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 10.1 nC @ 4.5 V |
Width | 1.7mm |
Вес, г | 0.01 |