DMP2066LSN-7, MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

Фото 1/4 DMP2066LSN-7, MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
80 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.75 ֏
10 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8003541571
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор с каналом P, от 12 до 25 В, Diodes Inc.

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4.6 A
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9.9 ns
Время спада 23.4 ns
Высота 1.3 mm
Длина 3.1 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DMP2066
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 28 ns
Типичное время задержки при включении 4.4 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SC-59-3
Ширина 1.7 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 3.7 A
Maximum Drain Source Resistance 70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.25 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-346
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 10.1 nC @ 4.5 V
Width 1.7mm
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DMP2066LSN-7
pdf, 88 КБ
Datasheet DMP2066LSN-7
pdf, 88 КБ