2V7002KT1G, MOS N-Channel VDS=60V VGS=20V ID=380mA RDSON=2.5@4.5V SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 ֏
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 30 шт. —
75 ֏
11 шт.
на сумму 924 ֏
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |