FDB075N15A, N 150 V 130ATc 333WTc DPAKTO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 ֏
от 10 шт. —
2 340 ֏
от 30 шт. —
2 270 ֏
1 шт.
на сумму 2 560 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 164 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 77 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.25 mOhms |
| Rise Time: | 37 ns |
| Series: | FDB075N15A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Continuous Drain Current | 130(A) |
| Drain-Source On-Volt | 150(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Packaging | Tape and Reel |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 333(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 130A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V, 100A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.35nF@75V |
| Power Dissipation (Pd) | 333W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 605 КБ
Datasheet FDP075N15A, FDB075N15A
pdf, 1704 КБ