DMP6250SE-13, MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
396 ֏
от 100 шт. —
322 ֏
от 500 шт. —
293 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 250@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1800 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 39.8 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.7 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 4.8@4.5V|9.7@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 551@30V |
Typical Rise Time (ns) | 10.3 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 91.4 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.3 |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 39.8 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-223-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 9.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
Rise Time: | 10.3 ns |
Series: | DMP6250 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 91.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.3 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.11 |