DSS4240V-7, TRANS NPN 40V 2A SOT563
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
80 ֏
от 3000 шт. —
66 ֏
100 шт.
на сумму 9 700 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 600 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.6 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 at 2 A, 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DSS42 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Техническая документация
Datasheet DSS4240V-7
pdf, 113 КБ