DAN222TL, 80V 150mW Dual Common Cathode 1.2V@100mA 4ns 100mA SOT-416 Switching Diode ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
36 ֏
50 шт.
на сумму 2 200 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
80V 150mW Dual Common Cathode 1.2V@100mA 4ns 100mA SOT-416 Switching Diode ROHS
Технические параметры
Configuration | Dual Common Cathode |
Forward Current | 300(mA) |
Forward Voltage | 1.2(V) |
Maximum Forward Current | 300(mA) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | EMD |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Forward Voltage | 1.2(V) |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 4(A) |
Peak Rep Rev Volt | 80(V) |
Peak Reverse Current | 0.1(uA) |
Peak Reverse Recovery Time | 4(ns) |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation (Max) | 150(mW) |
Product Depth (mm) | 0.8(mm) |
Product Height (mm) | 0.7(mm) |
Product Length (mm) | 1.6(mm) |
Rad Hardened | No |
Rectifier Type | Switching Diode |
Rev Curr | 0.1(uA) |
Rev Recov Time | 4(ns) |
Average Rectified Current (Io) | 100mA |
Diode Configuration | Dual Common Cathode |
Forward Voltage (Vf@If) | 1.2V@100mA |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation | 150mW |
Reverse Leakage Current | 100nA@70V |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Reverse Voltage (Vr) | 80V |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Silicon Junction |
Maximum Continuous Forward Current | 300mA |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.2V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 4A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 80V |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг