WNM2021-3/TR, 20V 820mA 310mW 310m ё@4.5V,550mA 850mV@250uA N Channel SOT-323 MOSFETs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
15300 шт., срок 8-10 недель
88 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
71 ֏
от 500 шт. —
62 ֏
от 2500 шт. —
50 ֏
50 шт.
на сумму 4 400 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003566764
Бренд: WILLSEMI(Will Semicon)
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 820mA 310mW 310mΩ@4.5V,550mA 850mV@250uA 1PCSNChannel SOT-323 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 820mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 310mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 310mО© @ 550mA,4.5V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
Continuous Drain Current (Id) | 900mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 155mΩ@4.5V, 500mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Type | 1PCSNChannel |
Техническая документация
Datasheet WNM2021-3/TR
pdf, 502 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг