WNM2021-3/TR, 20V 820mA 310mW 310m ё@4.5V,550mA 850mV@250uA N Channel SOT-323 MOSFETs ROHS

15300 шт., срок 8-10 недель
88 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.71 ֏
от 500 шт.62 ֏
от 2500 шт.50 ֏
50 шт. на сумму 4 400 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003566764

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 820mA 310mW 310mΩ@4.5V,550mA 850mV@250uA 1PCSNChannel SOT-323 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 820mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 310mW
Rds On - Drain-Source Resistance 310mО© @ 550mA,4.5V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Vgs - Gate-Source Voltage 850mV @ 250uA
Continuous Drain Current (Id) 900mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 155mΩ@4.5V, 500mA
Drain Source Voltage (Vdss) 20V
Type 1PCSNChannel

Техническая документация

Datasheet WNM2021-3/TR
pdf, 502 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг