DMP2045U-7, MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
62 ֏
от 500 шт. —
49 ֏
от 3000 шт. —
43 ֏
20 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.8 nC @ 4.5V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DMP2045U-7
pdf, 651 КБ