DMP10H4D2S-7, MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
от 500 шт. —
58 ֏
от 3000 шт. —
48 ֏
10 шт.
на сумму 930 ֏
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | -0.21A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.38W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 270mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 87pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 380mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.8nC@10V |
| Type | 1PCSPChannel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 533 КБ