DDTD123YC-7-F, TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
![DDTD123YC-7-F, TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514331.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 ֏
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
31 ֏
от 500 шт. —
25 ֏
30 шт.
на сумму 1 080 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 56 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Peak DC Collector Current: | 500 mA |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | DDTD123 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.22 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 366 КБ