FZT692BTA, TRANS NPN 70V 2A SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
348 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 1000 шт. —
291 ֏
100 шт.
на сумму 34 800 ֏
Описание
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
Длина | 6.7мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 70 В |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 70 В |
Тип корпуса | SOT-223 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 3.7мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.65мм |
Число контактов | 3 + Tab |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 150W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 1 A, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT692 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Base Product Number | FZT692 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 70 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@10mA@1A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A |
Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | SOT-223 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.6 |
Package Length | 6.5 |
Package Width | 3.5 |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Collector Base Voltage | 70 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Package Type | SOT-223(SC-73) |