DMN3032LFDB-7, MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
168 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
159 ֏
от 100 шт. —
146 ֏
от 500 шт. —
133 ֏
6 шт.
на сумму 1 008 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.2 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | DFN-2020-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Series: | DMN3032 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet DMN3032LFDB-7
pdf, 536 КБ