2SB1188T100Q, 32V 2W 120@500mA,3V 2A PNP TO-243AA Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1000 шт., срок 8-10 недель
176 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
141 ֏
от 150 шт. —
124 ֏
5 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 2A SO-89
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Ширина | 2.5 mm |
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet 2SB1188T100Q
pdf, 171 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг