L2SC3356LT1G, 12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 8-10 недель
58 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
49 ֏
от 500 шт. —
43 ֏
от 3000 шт. —
36 ֏
50 шт.
на сумму 2 900 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003682803
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
12V 200mW 170@10mA,3V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 170@10mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 7GHz |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet L2SC3356LT1G
pdf, 140 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг