L8550PLT1G, 25V 225mW 800mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

1050 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.14 ֏
100 шт. на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003683018
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
25V 225mW 800mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 25V
Maximum DC Collector Current 800mA
Pd - Power Dissipation 225mW
Transistor Type PNP
Collector Current (Ic) 800mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 150nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA, 80mA
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transition Frequency (fT) -
Вес, г 0.8

Техническая документация

Datasheet L8550PLT1G
pdf, 234 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг