IXXH60N65B4, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 60А, 536Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 200 ֏
от 3 шт. —
7 400 ֏
от 10 шт. —
5 900 ֏
от 30 шт. —
5 200 ֏
1 шт.
на сумму 9 200 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 60A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 86nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 536W |
| Pulsed collector current | 265A |
| Technology | GenX4™, Trench, XPT™ |
| Turn-off time | 208ns |
| Turn-on time | 94ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ