DMP2240UDM-7, MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
154 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
124 ֏
от 500 шт. —
93 ֏
от 3000 шт. —
86 ֏
10 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -1,5А, 0,6Вт, SOT26 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Base Product Number | DMP2240 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 16V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-23-6 |
Power - Max | 600mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-26 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 600 mW |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-26 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Width | 1.7mm |