SCT3120ALGC11, TO-247AC-3 SiC MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 8-10 недель
4 890 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
3 830 ֏
от 150 шт. —
3 510 ֏
5 шт.
на сумму 24 450 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Low on-resistance Fast switching speed Fast reverse recovery Easy to parallel Simple to drive Pb-free lead plating, RoHS compliantundefined
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 158.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 22 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.6V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 103 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 18 V |
| Width | 5mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг