DMP2160U-7, MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
40 ֏
от 3000 шт. —
36 ֏
20 шт.
на сумму 1 320 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
20V 3.2A 1.4W 80mΩ@4.5V,1.5A 900mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@4.5V, 1.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 627pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Type | P Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 486 КБ
Datasheet DMP2160U-7
pdf, 485 КБ
Datasheet DMP2160U-7
pdf, 124 КБ