DMP3085LSS-13, MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
75 ֏
10 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
МОП-транзистор P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 14.6 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DMP3085 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SO-8 |
Техническая документация
Datasheet DMP3085LSS-13
pdf, 163 КБ