SST2222AT116, 40V 350mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4050 шт., срок 8-10 недель
36 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
31 ֏
от 2500 шт. —
25 ֏
от 3000 шт. —
20 ֏
50 шт.
на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения4
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 35 |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SST2222A |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | SST2222A |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet UM2222AU3T106
pdf, 1622 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг