IRF3415PBF, MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 420 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 43 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 133.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 43 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 202 КБ
Datasheet IRF3415PBF
pdf, 212 КБ
Datasheet IRF3415PBF
pdf, 200 КБ
Datasheet IRF3415PBF
pdf, 203 КБ
