DMN2990UDJ-7, MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
115 ֏
от 500 шт. —
84 ֏
от 5000 шт. —
72 ֏
10 шт.
на сумму 1 410 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 180 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 450 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 500 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 mOhms |
| Rise Time: | 3.3 ns |
| Series: | DMN2990 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Fall Time | 6.4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 450 mA |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-963-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 990 mOhms |
| Rise Time | 3.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | DMN2990 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 386 КБ