DMN2075U-7, MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
43 ֏
от 3000 шт. —
38 ֏
20 шт.
на сумму 1 240 ֏
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DMN2075U-7
pdf, 278 КБ