IXTY26P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -26А, 150Вт, ТО252
![Фото 1/2 IXTY26P10T, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -26А, 150Вт, ТО252](https://static.chipdip.ru/lib/122/DOC035122705.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843778.jpg)
4 100 ֏
от 5 шт. —
3 660 ֏
от 20 шт. —
2 720 ֏
1 шт.
на сумму 4 100 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -26А, 150Вт, ТО252 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO252 |
Drain current | -26A |
Drain-source voltage | -100V |
Gate charge | 52nC |
Gate-source voltage | ±15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 90mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 150W |
Reverse recovery time | 70ns |
Technology | TrenchP™ |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ