IXGP20N120B3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3
![Фото 1/3 IXGP20N120B3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
6 900 ֏
от 3 шт. —
6 100 ֏
от 10 шт. —
4 670 ֏
1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 180 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 20kHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 2 |