PJM2302NSA-S, 20V 2A 900mW 50m ё@4.5V,2A 1.2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
6500 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
22 ֏
от 2500 шт. —
17 ֏
от 3000 шт. —
13 ֏
50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004563847
Бренд: PJSEMI
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
20V 2A 900mW 50mΩ@4.5V,2A 1.2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 900mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 2A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 260pF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 27pF@11V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5nC@4.5V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet PJM2302NSA-S
pdf, 1016 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг