SCT2750NYTB, SiC MOSFETs N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3313 шт., срок 7-9 недель
8 100 ֏
от 10 шт. —
6 800 ֏
от 25 шт. —
6 400 ֏
от 100 шт. —
5 200 ֏
1 шт.
на сумму 8 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.75Ом |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-268(D3PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 4 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг