IXTQ50N25T, MOSFETs 50Amps 250V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 700 ֏
от 30 шт. —
4 050 ֏
от 120 шт. —
3 470 ֏
1 шт.
на сумму 5 700 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 50Amps 250V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Qg - заряд затвора | 78 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Высота | 20.3 mm |
| Длина | 15.8 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXTQ50N25 |
| Технология | Si |
| Тип | Trench Gate Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Height | 20.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 50 A |
| Length | 15.8 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-3P-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 400 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 78 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| Rise Time | 25 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTQ50N25 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Trench Gate Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 47 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.056438 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Width | 4.9 mm |
| Вес, кг | 8.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 275 КБ
Datasheet IXTQ50N25T
pdf, 229 КБ