IXGN400N60B3
![Фото 1/2 IXGN400N60B3](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744356.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC006307507.jpg)
71 400 ֏
от 10 шт. —
60 800 ֏
от 100 шт. —
50 900 ֏
1 шт.
на сумму 71 400 ֏
Описание
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 600В, Ic: 200А, SOT227B Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.25 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 430 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Серия | IXGN400N60 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Техническая документация
Datasheet IXGN400N60B3
pdf, 185 КБ