BS170FTA, MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3

Фото 1/5 BS170FTA, MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.150 ֏
от 500 шт.110 ֏
от 3000 шт.101 ֏
10 шт. на сумму 1 900 ֏
Номенклатурный номер: 8006499538
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.00015
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 5000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 330
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology DMOS
Product Category Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 60@10V
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 10(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10(Max)
Maximum Continuous Drain Current 150 mA
Maximum Drain Source Resistance 5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 330 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.4mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 200 mS
Id - Continuous Drain Current: 150 uA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 330 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 5 Ohms
Series: BS170F
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 112 КБ
Datasheet
pdf, 100 КБ
Datasheet BS170F
pdf, 20 КБ