FDV303N, N 25 V 680mATa 350mWTa SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 30 шт. —
53 ֏
от 100 шт. —
49 ֏
от 500 шт. —
42 ֏
20 шт.
на сумму 1 160 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой FDV303N от производителя ONSEMI – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока до 0,68 А и напряжением сток-исток 25 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность транзистора составляет 0,35 Вт. Компактный корпус SOT23 гарантирует легкую интеграцию в печатные платы. Транзистор FDV303N идеален для поверхностного монтажа в мобильных устройствах, усилителях и других электронных проектах, где требуется надежное управление током при низком напряжении. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.68 |
| Напряжение сток-исток, В | 25 |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80mО© @ 2A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.3V @ 250uA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 680mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 197 КБ
Datasheet FDV303N
pdf, 546 КБ
Документация
pdf, 263 КБ
Datasheet FDV303N
pdf, 65 КБ