MJD44H11-1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
620 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
461 ֏
2 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 20W NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 20 W |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Высота: | 6.35 mm |
| Длина: | 6.73 mm |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 8 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 8 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 85 MHz |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 75 |
| Серия: | MJD44H11 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок: | IPAK-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Ширина: | 2.38 mm |
| Вес, г | 1.71 |
Техническая документация
Datasheet MJD44H11-1G
pdf, 289 КБ