DMG301NU-13, MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
![Фото 1/3 DMG301NU-13, MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
106 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
84 ֏
от 500 шт. —
66 ֏
от 5000 шт. —
55 ֏
10 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 2.3 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 260 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 320 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 360 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
Rise Time: | 1.8 ns |
Series: | DMG301 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 6.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 4Ом |
Power Dissipation | 320мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
Непрерывный Ток Стока | 260мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.1В |
Рассеиваемая Мощность | 320мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet DMG301NU-13
pdf, 503 КБ