R5005CNJTL
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 860 ֏
от 2 шт. —
2 560 ֏
1 шт.
на сумму 2 860 ֏
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5A I(D), 500V, 1.6OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET (Also Known As: R5005CNJ)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 5(A) |
| Drain-Source On-Volt | 500(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | LPTS |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 4.93 |
Техническая документация
Документация
pdf, 3413 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг