SH8KA7GZETB
![SH8KA7GZETB](https://static.chipdip.ru/lib/423/DOC043423137.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2487 шт., срок 8-10 недель
2 560 ֏
от 10 шт. —
1 940 ֏
от 100 шт. —
1 450 ֏
от 500 шт. —
1 150 ֏
1 шт.
на сумму 2 560 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 58 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | SOP-8 |
Part # Aliases: | SH8KA7 |
Pd - Power Dissipation: | 4.6 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 81 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.3 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг