RD3G500GNTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2470 шт., срок 8-10 недель
2 070 ֏
от 10 шт. —
1 590 ֏
от 100 шт. —
1 180 ֏
от 500 шт. —
930 ֏
1 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application. Low on - resistance High power package (TO-252)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | RD3G500GN |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Width | 6.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг