DMT3020LFDF-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
427 ֏
от 500 шт. —
322 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
30V 8.4A 17mΩ@10V,9A 700mW 2.5V@250uA N Channel U-DFN2020-6E MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.4 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DFN-2020-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 575 КБ
Datasheet DMT3020LFDF-7
pdf, 407 КБ