2SB1181TLQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1063 шт., срок 8-10 недель
1 190 ֏
от 10 шт. —
880 ֏
от 100 шт. —
670 ֏
от 500 шт. —
510 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 10 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | 2SB1181 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | CPT-3 |
Ширина | 5.5 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 451 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг