RU1J002YNTCL, 50V 200mA 1.6@4.5V,200mA 150mW 800mV@1mA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
![Фото 1/3 RU1J002YNTCL, 50V 200mA 1.6@4.5V,200mA 150mW 800mV@1mA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/591/DOC006591388.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/263/DOC034263999.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC024975733.jpg)
3300 шт., срок 8-10 недель
62 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
49 ֏
от 500 шт. —
41 ֏
от 3000 шт. —
36 ֏
50 шт.
на сумму 3 100 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
МОП-транзистор 0.9V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8 ns |
Время спада | 43 ns |
Другие названия товара № | RU1J002YN |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 ms |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RU1J002YN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 17 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
кол-во в упаковке | 1 |
Brand | ROHM Semiconductor |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 43 ns |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | UMT3F-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
Rise Time | 8 ns |
RoHS | Details |
Series | RU1J002YN |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323 |
Pin Count | 3 |
Width | 1.35mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 3792 КБ
Datasheet RU1J002YNTCL
pdf, 1659 КБ
Документация
pdf, 1683 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг