DMP2004VK-7, MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563

DMP2004VK-7, MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 ֏
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 100 шт.58 ֏
14 шт. на сумму 924 ֏
Номенклатурный номер: 8008417890
Бренд: DIODES INC.

Описание

МОП-транзистор Dual P-Channel

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 530 mA
Pd - рассеивание мощности 400 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.6 mm
Длина 1.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DMP2004
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 P-Channel
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-563-6
Ширина 1.2 mm
Base Product Number DMP2004 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
ECCN EAR99
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet DMP2004VK-7
pdf, 386 КБ
Datasheet DMP2004VK-7
pdf, 423 КБ