FDB0190N807L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 600 ֏
от 10 шт. —
5 700 ֏
от 100 шт. —
4 120 ֏
от 800 шт. —
3 410 ֏
1 шт.
на сумму 7 600 ֏
Описание
80V 270A 1.7mΩ@10V,34A 4V@250uA N Channel TO-263-7 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 270A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7mΩ@10V, 34A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 19.11nF@40V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;250W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 249nC@10V |
| Type | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 270А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.9В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Assembly | SMD |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 1.7 mΩ |
| Enclosure | D2PAK-7L |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.78x10<sup>-7</sup> C |
| Max. current | 270 A |
| max. operating temperature | 175 °C |
| max. Voltage | 80 V |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power loss | 250 W |
| Version | N channel |
| Вес, г | 690 |