FDS2582
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 ֏
от 10 шт. —
1 280 ֏
от 100 шт. —
930 ֏
от 500 шт. —
740 ֏
1 шт.
на сумму 1 720 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 2,6А, 2,5Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 66mΩ@4.1A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.29nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Type | null |
| Case | SO8 |
| Drain current | 2.6A |
| Drain-source voltage | 150V |
| Gate charge | 25nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 146mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2.5W |
| Technology | PowerTrench® |
| Type of transistor | N-MOSFET |